时间：2025/9/3 20:21:08
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NTTFS4C10N是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于各种高效率开关电源和DC-DC转换器中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，提供了较低的导通电阻和较高的开关性能，适用于需要高可靠性和高效能的应用场景。
类型：N沟道
漏极电流（ID）：10A
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为34mΩ（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：2.5W
工作温度范围：-55°C至175°C
NTTFS4C10N MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件具有较低的栅极电荷，使得开关损耗减少，适用于高频开关应用。此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定工作，确保系统的可靠性。
该器件的封装形式为SO-8，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用。NTTFS4C10N还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了器件在异常工作条件下的耐受性。其快速的开关特性使其适用于各种高效率电源转换器，如同步整流器、DC-DC转换器以及负载开关等应用。
另外，NTTFS4C10N具备良好的栅极氧化层可靠性，确保在长期工作中的稳定性和耐用性。其低导通电阻和快速开关特性相结合，使得该器件在低电压高电流应用中表现出色，适用于电池供电设备、便携式电子产品以及汽车电子系统。
NTTFS4C10N常用于各种电源管理系统中，包括同步整流器、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器以及电池管理系统。此外，该器件也适用于工业自动化设备、通信设备和消费类电子产品中的电源管理模块。
Si4442DY, IRF7413, NTD10N03R2G
