时间：2025/8/2 6:15:11
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NTTFS015P03P8ZTAG 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款功率 MOSFET 模块，适用于需要高效功率管理的应用。该模块集成了一个P沟道MOSFET和一个N沟道MOSFET，支持同步整流和高效电源转换。其设计旨在降低导通损耗和开关损耗，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用。
类型：功率MOSFET模块
沟道类型：P+N
最大漏源电压(Vds)：30V
最大漏极电流(Id)：15A
导通电阻(Rds(on))：8mΩ
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：Power8
安装类型：表面贴装
NTTFS015P03P8ZTAG 拥有低导通电阻（Rds(on)）特性，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件采用了先进的封装技术，使得热管理更加高效，从而在高负载条件下仍能保持稳定运行。
该模块的P+N沟道配置允许其在同步整流电路中发挥重要作用，特别适用于需要双向电流控制的场合。此外，该器件具有优异的开关特性，能够实现快速开关操作，从而降低开关损耗。
NTTFS015P03P8ZTAG 还具备良好的抗静电能力和高可靠性，适用于各种严苛的工作环境。该模块的封装设计符合RoHS环保标准，无铅且符合现代电子设备的环保要求。
NTTFS015P03P8ZTAG 主要应用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电动工具、无人机、便携式电源设备等领域。由于其高效能和紧凑的封装，该器件非常适合对空间和效率要求较高的设计。此外，它还可用于工业控制系统、汽车电子系统以及消费类电子产品中的功率管理模块。
SiR142DP-T1-GE3, NTTFS017N03CTAG, NTTFS017P03CTXG
