时间：2025/8/2 5:56:17
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NTTFS005N04CTAG是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效功率转换应用设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等多种应用。该MOSFET采用先进的PowerTrench?技术，以实现更低的导通损耗和更高的效率。NTTFS005N04CTAG集成了驱动器和MOSFET，简化了电路设计并提高了整体系统可靠性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：40V
漏极电流（ID）：5A
导通电阻（RDS(on)）：5mΩ @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：13nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：DFN5x6
功率耗散（PD）：2.8W
NTTFS005N04CTAG具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率，适用于高频率开关应用。该器件采用PowerTrench?技术，使得在相同电压和电流条件下，MOSFET的尺寸更小，同时保持较低的热阻，有助于提高散热效率。
其次，该MOSFET集成了驱动器，减少了外部元件数量，简化了电路设计，降低了PCB布局的复杂度，并提高了整体系统的稳定性与可靠性。此外，NTTFS005N04CTAG具有出色的热管理性能，能够在较高环境温度下稳定工作，适用于紧凑型电源设计和高功率密度应用。
该器件的封装采用DFN5x6无铅封装，符合RoHS环保标准，具备良好的焊接性能和机械稳定性，适用于自动化生产和表面贴装工艺。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，方便与各类控制器配合使用。
最后，NTTFS005N04CTAG具备较强的抗雪崩能力和过热保护特性，能够承受瞬态过载和短路冲击，提高系统的鲁棒性和安全性。
NTTFS005N04CTAG广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备、LED照明驱动电路以及汽车电子系统等。在通信设备和服务器电源中，该MOSFET可作为高效功率开关，实现稳定的电压转换和能量管理。此外，在新能源领域如太阳能逆变器、储能系统中，该器件也可用于功率控制和能量调节。
SiZ600DT, NTDJS4162N, FDMF6820C, NCP3420
