NTS8100MFST1G 时间：2025/4/27 9:40:05 阅读：6

NTS8100MFST1G是一款高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用了先进的制造工艺，具有极低的导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于多种功率转换和负载切换应用。其封装形式为SOT-23，适合高密度设计，同时具备良好的热性能。
　　NTS8100MFST1G的工作电压范围较宽，能够满足消费电子、通信设备以及工业控制等领域的严格要求。其小型化封装和优异的电气性能使其成为便携式设备的理想选择。

参数

最大漏源电压(Vds)：60V
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：1.5V至3V
　　连续漏极电流(Id)：1.5A
　　导通电阻(Rds(on))：0.14Ω（在Vgs=4.5V时）
　　总电荷(Qg)：9nC
　　输入电容(Ciss)：180pF
　　输出电容(Coss)：45pF
　　反向传输电容(Crss)：15pF
　　工作温度范围：-55℃至150℃

特性

1. 低导通电阻以减少功率损耗。
　　2. 高速开关性能，适用于高频应用。
　　3. 小型SOT-23封装节省电路板空间。
　　4. 较宽的工作电压范围（高达60V），适应多种应用场景。
　　5. 低栅极电荷和快速开关速度，降低驱动损耗。
　　6. 提供卓越的热稳定性和可靠性，确保长期使用。
　　7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。