电容值：6.8μF
　　电容容差：±20%
　　额定电压：50V
　　介质材料：X7R
　　封装尺寸：未明确指定
　　温度特性：-55°C至+125°C
　　工作温度范围：-55°C至+125°C

NTS50X7R1H685MT电容器采用了X7R型陶瓷材料，这种材料具有良好的温度稳定性，其电容值在-55°C至+125°C的温度范围内变化不超过±15%。这使得该电容器能够在广泛的温度条件下保持稳定的性能，适合在恶劣环境中使用。
　　此外，该电容器的额定电压为50V，能够承受较高的电压应力，适用于电源管理电路和中高压滤波应用。其±20%的容差表明其实际电容值可以在标称值的±20%范围内波动，这对于一些对容差要求不十分严格的电路设计来说是一个合理的选择。
　　作为多层陶瓷电容器，NTS50X7R1H685MT具有较低的等效串联电阻（ESR）和较高的自谐振频率（SRF），这使得它在高频电路中表现出色，能够有效滤除高频噪声和干扰。此外，MLCC的结构设计使得其在机械强度和抗振动方面也具有优势，能够在多种物理环境中保持稳定工作。
　　该电容器的封装形式为表面贴装元件（SMT），适用于高密度电路板布局，同时提高了组装效率和生产自动化水平。这种封装形式还减少了引脚电感，有助于提高高频性能。

NTS50X7R1H685MT多层陶瓷电容器广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
　　在电源管理电路中，该电容器用于滤波和去耦，以稳定电压并减少电源噪声。由于其50V的额定电压，它特别适用于中高压直流电源的输入输出滤波环节，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等。
　　在通信设备中，NTS50X7R1H685MT用于射频（RF）电路的旁路和耦合，其低ESR和高自谐振频率特性使其能够有效滤除高频干扰，提高信号完整性。此外，在基站、无线接入点和路由器等设备中，该电容器也常用于本地去耦，确保模拟和数字电路的稳定运行。
　　在工业控制系统中，该电容器用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器模块和工业计算机的电源部分，以提供稳定的电源去耦，防止电压波动影响系统运行。
　　在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，NTS50X7R1H685MT用于主控芯片、电源管理单元和音频放大器的电源滤波，以减少噪声并提高系统稳定性。
　　在汽车电子领域，该电容器可用于车载导航、娱乐系统、发动机控制单元（ECU）和电池管理系统（BMS）。其在-55°C至+125°C的温度范围内保持稳定的性能，使其适用于汽车高温和低温环境下的工作。

TDK C3216X7R1H685KT0J0E, Murata GRM31CR71H685KA01L, Kemet C0805X7R1H685MT, Yageo CC0805KKX7R685KK16CT