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NTS4001NT1G 发布时间 时间:2025/5/7 13:22:05 查看 阅读:18

NTS4001NT1G 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型小信号 MOSFET。它采用了 SOT-23 封装,适用于需要低导通电阻和快速开关特性的应用场合。该器件具有较低的栅极电荷和导通电阻,非常适合在功率管理、负载开关以及高频开关电路中使用。
  NTS4001NT1G 的设计使其能够在高效率和低功耗的应用中表现优异,并且支持较宽的工作电压范围。

参数

最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±8V
  连续漏极电流(Id):1.6A
  脉冲漏极电流(Id pulse):5.1A
  导通电阻(Rds(on)):0.95Ω(在 Vgs=4.5V 时)
  栅极电荷(Qg):2nC
  输入电容(Ciss):10pF
  输出电容(Coss):2.7pF
  工作结温范围(Tj):-55℃ 至 +150℃

特性

NTS4001NT1G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够降低传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关能力,得益于其低栅极电荷 Qg 和小型封装。
  3. 支持高达 30V 的漏源电压,适用于多种低压应用。
  4. 采用标准的小型 SOT-23 封装,节省 PCB 空间。
  5. 可靠性高,能够在高温环境下稳定运行。
  6. 适合逻辑电平驱动,简化了电路设计过程。
  这些特性使得该器件成为便携式电子设备、通信系统以及其他对效率和空间要求较高的应用的理想选择。

应用

NTS4001NT1G 广泛应用于以下领域:
  1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
  2. 开关电源和 DC/DC 转换器中的同步整流。
  3. 电池供电设备中的保护电路。
  4. 电机驱动和音频设备中的功率级控制。
  5. 数据通信接口中的信号切换。
  6. 高频放大器和振荡器中的开关元件。
  由于其高效的性能和紧凑的封装,NTS4001NT1G 成为许多现代电子产品的关键组件。

替代型号

NTS4002NT1G, BSS138, AO3400A

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NTS4001NT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C270mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.5 欧姆 @ 10mA,4V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs1.3nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds33pF @ 5V
  • 功率 - 最大330mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTS4001NT1GOSNTS4001NT1GOS-NDNTS4001NT1GOSTR