时间：2025/5/7 13:22:05
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NTS4001NT1G 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型小信号 MOSFET。它采用了 SOT-23 封装，适用于需要低导通电阻和快速开关特性的应用场合。该器件具有较低的栅极电荷和导通电阻，非常适合在功率管理、负载开关以及高频开关电路中使用。
NTS4001NT1G 的设计使其能够在高效率和低功耗的应用中表现优异，并且支持较宽的工作电压范围。
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：1.6A
脉冲漏极电流（Id pulse）：5.1A
导通电阻（Rds(on)）：0.95Ω（在 Vgs=4.5V 时）
栅极电荷（Qg）：2nC
输入电容（Ciss）：10pF
输出电容（Coss）：2.7pF
工作结温范围（Tj）：-55℃ 至 +150℃
NTS4001NT1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，能够降低传导损耗并提高效率。
2. 快速开关能力，得益于其低栅极电荷 Qg 和小型封装。
3. 支持高达 30V 的漏源电压，适用于多种低压应用。
4. 采用标准的小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
5. 可靠性高，能够在高温环境下稳定运行。
6. 适合逻辑电平驱动，简化了电路设计过程。
这些特性使得该器件成为便携式电子设备、通信系统以及其他对效率和空间要求较高的应用的理想选择。
NTS4001NT1G 广泛应用于以下领域：
1. 手机和其他便携式电子设备中的负载开关。
2. 开关电源和 DC/DC 转换器中的同步整流。
3. 电池供电设备中的保护电路。
4. 电机驱动和音频设备中的功率级控制。
5. 数据通信接口中的信号切换。
6. 高频放大器和振荡器中的开关元件。
由于其高效的性能和紧凑的封装，NTS4001NT1G 成为许多现代电子产品的关键组件。
NTS4002NT1G, BSS138, AO3400A
