NTS2101PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的贴片式瞬态电压抑制二极管(TVS 二极管)。它被设计用于保护敏感的电子设备免受因静电放电 (ESD)、电感负载切换和其它瞬态现象引起的过压威胁。NTS2101PT1G 的工作电压为 5V,采用 SOD-323 封装形式,适合表面贴装技术(SMT)生产流程。
该器件具有低电容特性,非常适合高速数据线和高频应用环境中的 ESD 保护。
类型:TVS 二极管
工作电压(VRWM):5V
反向击穿电压(VBR):5.8V
最大峰值脉冲电流(IPP):49A
箝位电压(VC):17.4V
反向漏电流(IR):1μA(最大值,@ VRWM)
结电容(Cj):6pF(典型值)
响应时间:1ps(典型值)
封装形式:SOD-323
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
NTS2101PT1G 具有以下主要特性:
1. 高效的瞬态电压抑制能力,能够快速响应并抑制瞬态浪涌电压。
2. 低结电容(仅 6pF),适合高速信号线路的应用场景。
3. 超低泄漏电流,确保在正常工作条件下对电路性能的影响最小。
4. 紧凑的 SOD-323 封装,节省 PCB 空间,适合高密度设计。
5. 工作温度范围宽广(-55°C 至 +150°C),适应恶劣的工作环境。
6. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
7. 无铅环保设计,符合 RoHS 指令要求。
这些特性使得 NTS2101PT1G 成为一种高性能、可靠且环保的保护器件选择。
NTS2101PT1G 广泛应用于需要瞬态电压抑制保护的各种电子系统中,包括但不限于:
1. USB 数据线和其他高速数据接口的 ESD 保护。
2. 汽车电子系统的信号线路保护,例如 CAN 总线、LIN 总线等。
3. 移动设备(如智能手机和平板电脑)中的射频(RF)端口保护。
4. 工业控制设备中的通信接口保护。
5. 电源输入端口的过压保护。
6. 传感器信号线路的保护。
由于其低电容和高响应速度,NTS21适合那些对信号完整性要求较高的应用场景。
PESD5V0H1BA, SMF5.0A, SMAJ5.0A