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NTS2101PT1G 发布时间 时间:2025/5/8 18:07:53 查看 阅读:7

NTS2101PT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生产的贴片式瞬态电压抑制二极管(TVS 二极管)。它被设计用于保护敏感的电子设备免受因静电放电 (ESD)、电感负载切换和其它瞬态现象引起的过压威胁。NTS2101PT1G 的工作电压为 5V,采用 SOD-323 封装形式,适合表面贴装技术(SMT)生产流程。
  该器件具有低电容特性,非常适合高速数据线和高频应用环境中的 ESD 保护。

参数

类型:TVS 二极管
  工作电压(VRWM):5V
  反向击穿电压(VBR):5.8V
  最大峰值脉冲电流(IPP):49A
  箝位电压(VC):17.4V
  反向漏电流(IR):1μA(最大值,@ VRWM)
  结电容(Cj):6pF(典型值)
  响应时间:1ps(典型值)
  封装形式:SOD-323
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

NTS2101PT1G 具有以下主要特性:
  1. 高效的瞬态电压抑制能力,能够快速响应并抑制瞬态浪涌电压。
  2. 低结电容(仅 6pF),适合高速信号线路的应用场景。
  3. 超低泄漏电流,确保在正常工作条件下对电路性能的影响最小。
  4. 紧凑的 SOD-323 封装,节省 PCB 空间,适合高密度设计。
  5. 工作温度范围宽广(-55°C 至 +150°C),适应恶劣的工作环境。
  6. 符合 AEC-Q101 标准,适用于汽车级应用。
  7. 无铅环保设计,符合 RoHS 指令要求。
  这些特性使得 NTS2101PT1G 成为一种高性能、可靠且环保的保护器件选择。

应用

NTS2101PT1G 广泛应用于需要瞬态电压抑制保护的各种电子系统中,包括但不限于:
  1. USB 数据线和其他高速数据接口的 ESD 保护。
  2. 汽车电子系统的信号线路保护,例如 CAN 总线、LIN 总线等。
  3. 移动设备(如智能手机和平板电脑)中的射频(RF)端口保护。
  4. 工业控制设备中的通信接口保护。
  5. 电源输入端口的过压保护。
  6. 传感器信号线路的保护。
  由于其低电容和高响应速度,NTS21适合那些对信号完整性要求较高的应用场景。

替代型号

PESD5V0H1BA, SMF5.0A, SMAJ5.0A

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NTS2101PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)8V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6.4nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds640pF @ 8V
  • 功率 - 最大290mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTS2101PT1GOSTR