时间：2025/5/8 13:29:38
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NTS0104BQ-Q100X 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高性能功率晶体管，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用了先进的封装技术，能够满足汽车电子、通信电源和工业控制等领域对高效能和可靠性的要求。它具有低导通电阻和快速开关速度的特点，非常适合于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等应用。
这款芯片符合AEC-Q100车规级标准，确保在极端温度和振动环境下依然保持稳定运行。此外，其出色的散热性能和鲁棒性进一步增强了其在高功率密度系统中的表现。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：10mΩ
栅极电荷：90nC
开关频率：2MHz
工作温度范围：-40℃至+150℃
1. 使用氮化镓材料实现更高的功率密度和效率。
2. 具备低导通电阻，降低传导损耗。
3. 支持高达2MHz的开关频率，减小了磁性元件的体积。
4. 符合AEC-Q100标准，适合汽车和工业环境。
5. 内置过温保护和过流保护功能，提升系统安全性。
6. 封装形式紧凑，易于集成到各种电路设计中。
1. 汽车电子：OBC（车载充电器）、DC-DC转换器。
2. 通信设备：基站电源、服务器电源。
3. 工业控制：高频逆变器、伺服驱动。
4. 消费电子：快充适配器、无线充电模块。
5. 能量存储系统：电池管理系统中的功率转换部分。
NTS0104AQ-Q100X
IRF7738
STGAP100N06HD
