时间：2025/5/29 16:48:25
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NTR5103NT1G 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用超小型的 SOT-23 封装，具有低导通电阻 (Rds(on)) 和高开关速度的特点，适用于各种便携式和空间受限的应用场景。其出色的性能使其成为电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用的理想选择。
该芯片的工作电压范围为 1.8V 至 5.5V，能够支持高达 3A 的连续漏极电流 (Id)，并且具备优异的热性能，有助于提高系统的整体效率。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：3A
导通电阻(Rds(on))：170mΩ (在 Vgs=4.5V 时)
栅极电荷(Qg)：1.9nC
总功耗(Ptot)：400mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NTR5103NT1G 提供了多种优越的特性，包括低导通电阻以减少功率损耗，从而提升系统效率；具备快速的开关速度，可以降低开关损耗并支持高频操作；同时采用紧凑的 SOT-23 封装设计，节省 PCB 空间。此外，它还拥有较高的浪涌电流能力，并且经过优化，能够在较低的栅极驱动电压下实现高效的性能表现。
这款器件具有强大的短路耐受能力和抗静电能力(ESD)，确保了其在严苛环境下的可靠性。其符合 RoHS 标准，满足环保要求，适合广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备领域。
NTR5103NT1G 广泛用于需要高效能和小体积解决方案的场合。典型应用包括但不限于：电池管理与保护电路、负载开关、便携式电子产品中的电源管理、LED 驱动、小型电机控制、DC-DC 转换器、USB 充电器以及其他低压开关应用。由于其封装小巧且性能优越，特别适合于对尺寸和功耗有严格要求的设计项目。
NTR4103PT1G, BSS138, 2N7002
