NTR4503NT1G技术参数
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):140
最大漏极电流Id(on)(A):2.500
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:30 V, 2.5 A,双功率MOSFET