时间：2023/4/13 11:12:42
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NTR4503NT1G技术参数
源漏极间雪崩电压VBR(V)：30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：140
最大漏极电流Id(on)(A)：2.500
通道极性：N沟道
封装/温度(℃)：SOT-23 /-55 ~150
描述：30 V, 2.5 A,双功率MOSFET
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
