您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > NTR4502PT1G

NTR4502PT1G 发布时间 时间:2023/4/12 11:27:17 查看 阅读:730

NTR4502PT1G技术参数

目录

概述

源漏极间雪崩电压VBR(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):200

最大漏极电流Id(on)(A):1.950

通道极性:P沟道

封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150

描述:-30V, -1.95 A,双功率MOSFET

资料

厂商
ON Semiconductor

NTR4502PT1G推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

NTR4502PT1G资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

NTR4502PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.95A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds200pF @ 15V
  • 功率 - 最大400mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTR4502PT1GOSTR