时间：2023/4/12 11:27:17
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NTR4502PT1G技术参数
源漏极间雪崩电压VBR(V)：30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ)：200
最大漏极电流Id(on)(A)：1.950
通道极性：P沟道
封装/温度(℃)：SOT-23 /-55 ~150
描述：-30V, -1.95 A,双功率MOSFET
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
