NTR4502PT1G技术参数
源漏极间雪崩电压VBR(V):30
源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):200
最大漏极电流Id(on)(A):1.950
通道极性:P沟道
封装/温度(℃):SOT-23 /-55 ~150
描述:-30V, -1.95 A,双功率MOSFET