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NTR4171PT1G 发布时间 时间:2023/4/10 11:13:43 查看 阅读:940

分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品 

家庭:MOSFET,GaNFET - 单 

FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物

FET 特点:逻辑电平门

开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 mOhm @ 2.2A, 10V

漏极至源极电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.2A

Id 时的 Vgs(th)(最大):1.4V @ 250μA 

闸电荷(Qg) @ Vgs:15.6nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) :720pF @ 15V

功率 - 最大:480mW

安装类型:表面贴装 

封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3 

包装:带卷 (TR)

供应商设备封装:SOT-23

资料

厂商
VBSEMI/台湾微碧

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NTR4171PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C75 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15.6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds720pF @ 15V
  • 功率 - 最大480mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3(TO-236)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTR4171PT1G-NDNTR4171PT1GOSTR