时间：2025/6/11 20:09:06
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NTR4003NT3G 是一款 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造。这款器件采用小尺寸 SOT-23 封装形式，适用于需要高效率和紧凑设计的应用场景。NTR4003NT3G 以其低导通电阻和快速开关速度著称，适合用于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动等应用。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±8V
连续漏极电流(Id)：1.9A
导通电阻(Rds(on))：160mΩ（典型值，当 Vgs=4.5V 时）
总功耗(Ptot)：420mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
NTR4003NT3G 的主要特点是其在低电压下的高效运行能力。该器件具有非常低的导通电阻，能够减少功率损耗并提高系统效率。
其逻辑电平驱动功能允许直接与微控制器或其他数字电路接口，而无需额外的驱动级。
SOT-23 封装确保了它的体积小巧且易于集成到各种空间受限的设计中。
此外，它还具备出色的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能。
NTR4003NT3G 广泛应用于消费电子、工业控制以及通信设备领域。
典型应用包括：
- 手机和平板电脑中的电源管理
- 笔记本电脑的电池保护电路
- 开关模式电源(SMPS) 和 DC-DC 转换器
- LED 驱动和小型电机控制
- 各种负载开关和保护电路
NTR4103PT3G, BSS138
