时间：2025/5/22 10:03:42
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NTR4003NLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于多种电源管理应用。它广泛用于消费电子、工业控制和通信设备中，可作为高效能开关或负载驱动器使用。
该器件采用 SOT-23 封装形式，体积小巧，非常适合空间受限的设计。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（典型值）：80mΩ
总功耗：410mW
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
NTR4003NLT1G 的主要特点是其低导通电阻和紧凑的封装设计，使其能够在高频开关应用中保持高效率并减少散热需求。
此外，它还具有以下优点：
- 低栅极电荷，确保快速开关性能。
- 高雪崩能力，提高系统的可靠性。
- 符合 RoHS 标准，环保无铅。
- 支持表面贴装技术（SMT），便于自动化生产。
- 具备优异的热稳定性和电气稳定性。
NTR4003NLT1G 广泛应用于需要高效能 MOSFET 的场景，例如：
- 开关电源（SMPS）中的同步整流。
- 负载开关和电池保护电路。
- DC/DC 转换器和降压稳压器。
- 电机驱动和 LED 驱动电路。
- 各类便携式设备和消费类电子产品中的功率管理模块。
NTSN4003NLT1G, BSS138, FDN340P
