NTR3C21NZT1G 时间：2025/5/10 10:16:27 阅读：10

NTR3C21NZT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于需要高效功率转换的应用场景。其封装形式为 LFPAK56E（D2PAK 封装），适合表面贴装技术（SMT）。该 MOSFET 广泛用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高性能功率开关的应用。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，NTR3C21NZT1G 成为了工业电子、汽车电子以及消费类电子产品中的热门选择。

参数

型号：NTR3C21NZT1G
　　制造商：ON Semiconductor
　　类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　Vds（漏源极电压）：30V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.4mΩ
　　Id（连续漏极电流）：210A
　　Vgs(th)（栅极阈值电压）：2.2V~4V
　　Qg（总栅极电荷）：78nC
　　EAS（雪崩能量）：9.9mJ
　　封装：LFPAK56E
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C

特性

NTR3C21NZT1G 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 Rds(on)，仅为 1.4mΩ，可以显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　2. 支持高达 210A 的连续漏极电流 Id，适合大电流应用。
　　3. 工作电压 Vds 高达 30V，能够满足多种中低压应用场景的需求。
　　4. 快速开关能力，得益于其较低的总栅极电荷 Qg（78nC），从而减少开关损耗。
　　5. 提供良好的热性能，封装形式 LFPAK56E 支持高效的热量传导。
　　6. 宽工作温度范围（-55°C 至 +175°C），能够在极端环境下稳定运行。
　　7. 高可靠性和鲁棒性设计，支持一定的雪崩能量（9.9mJ），可承受异常状态下的短时间过载。

应用

NTR3C21NZT1G 可广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
　　3. 电动车辆（EV/HEV）中的电机驱动电路。
　　4. 大功率 LED 照明驱动电路。
　　5. 各种工业自动化设备中的负载切换控制。
　　6. 电池管理系统（BMS）中的保护和控制开关。
　　7. 通信电源和其他需要高效功率转换的场景。