时间：2025/6/30 17:04:42
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NTR3A052PZT1G 是一款由安森美（onsemi）推出的 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，适合于高频开关应用。其封装形式为 SOT-26，非常适合空间受限的应用场景。这款 MOSFET 广泛用于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动器以及电池管理等电路中。
该型号的后缀 'PZT1G' 表示其符合特定的环保标准，并且经过优化以提供更佳的电气性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（典型值，在 Vgs=4.5V 时）：50mΩ
导通电阻（最大值，在 Vgs=4.5V 时）：70mΩ
总功耗：450mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
NTR3A052PZT1G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在 Vgs=4.5V 时仅为 50mΩ，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度，可满足高频应用需求。
3. 小型 SOT-26 封装，节省 PCB 空间。
4. 支持高达 2.9A 的连续漏极电流，适用于多种功率处理场景。
5. 工作温度范围宽广，从 -55℃ 到 +150℃，能够在恶劣环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
NTR3A052PZT1G 的典型应用领域包括：
1. 移动设备中的负载开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流 MOSFET。
3. 小型电机驱动器。
4. 便携式电子产品的电源管理。
5. 电池保护电路中的开关元件。
6. 信号切换和功率分配网络。
NTR3A052PZ, NTR3A052PZT1
