时间：2025/4/29 17:55:18
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NTR3161NT1G 是一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET。该器件采用超小型封装，具有低导通电阻和快速开关速度的特性，适用于多种功率转换和负载开关应用。它支持较低的驱动电压，并且能够在高频下高效工作。
该 MOSFET 的典型应用包括便携式设备中的负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动电路以及电池保护等场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：2.9A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
总功耗：550mW
工作结温范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
NTR3161NT1G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻使得其在高效率应用中表现出色，同时减少功率损耗。
2. 支持宽泛的工作温度范围，能够适应各种严苛环境条件。
3. 快速开关性能有助于降低开关损耗，适合高频应用。
4. 小型化 SOT-23 封装设计节省 PCB 空间，非常适合空间受限的设计项目。
5. 高可靠性与稳定性，保证长时间稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
NTR3161NT1G 广泛应用于以下领域：
1. 便携式电子产品中的负载开关控制，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
2. 开关电源（SMPS）及 DC-DC 转换器中的同步整流或开关元件。
3. 电池管理系统的保护电路，用于过流、短路保护。
4. 小型电机驱动电路，如玩具、家用电器中的直流电机控制。
5. 信号切换和音频电路中的开关功能实现。
6. 各类工业设备中的功率管理模块。
NTR3151NT1G, PMN31EX, BSS138
