类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：20V
　　栅源电压(Vgs)：±8V
　　连续漏极电流(Id)：4A
　　导通电阻(Rds(on))：30mΩ @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：DFN2x2

NTR04D2003CTRF 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率，尤其是在高电流应用中。其 Rds(on) 值在 Vgs=4.5V 时仅为 30mΩ，这意味着即使在相对较低的栅极驱动电压下，该器件也能保持较低的导通状态电压降，从而降低功耗并减少热量产生。此外，该 MOSFET 具有较高的耐压能力，漏源电压额定值为 20V，使其适用于各种低压电源转换应用。
　　另一个显著特性是其小型 DFN2x2 封装，这种封装不仅节省空间，而且具有良好的热性能，有助于在高功率密度设计中实现高效的散热。该封装还支持表面贴装技术（SMT），简化了 PCB 的组装流程并提高了可靠性。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，表明其能够在极端环境条件下稳定运行。这使其适用于对可靠性要求较高的工业和汽车应用。此外，NTR04D2003CTRF 的栅极驱动电压范围较宽，允许在多种控制器和驱动电路中使用，增强了其应用灵活性。

NTR04D2003CTRF 广泛应用于需要高效能和小尺寸封装的电源管理电路中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关以及电池供电设备中的功率开关。其低导通电阻和高电流处理能力使其成为高效电源转换系统的理想选择。此外，由于其封装尺寸小、热性能优良，该器件也非常适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在工业自动化和汽车电子系统中，该 MOSFET 也可用于电机驱动、传感器供电管理以及各种电源分配系统。

NTR04D2003CTR-D, NTD04N02LT, NTR04D2004CTRF