时间：2025/6/30 17:03:55
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NTP85N03RG是一款由Onsemi（安森美）生产的N沟道MOSFET晶体管。该器件采用TO-263-3封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他功率管理应用中。其低导通电阻和出色的开关性能使其成为高效率功率转换的理想选择。
这款MOSFET的最大特点是具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而在高频开关应用中减少功率损耗，并提升整体系统效率。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏电流：79A
导通电阻（Rds(on)）：3.1mΩ
总功耗：250W
工作结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-263-3
NTP85N03RG具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（典型值为3.1mΩ），能够有效降低传导损耗。
2. 高电流处理能力，最大连续漏电流可达79A。
3. 快速开关性能，适合高频功率转换应用。
4. 宽工作结温范围（-55℃至175℃），适用于各种恶劣环境。
5. 符合RoHS标准，环保且可靠。
6. 具备较强的抗雪崩能力，提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
这些特性使得NTP85N03RG在高效能功率转换领域表现优异，尤其适合对散热要求较高的场景。
NTP85N03RG主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电动工具及家用电器中的电机驱动控制。
3. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
4. 工业设备中的功率管理模块。
5. LED照明系统的驱动电路。
6. 各种需要大电流、低导通电阻的功率转换场合。
其高电流承载能力和低导通电阻特别适合于需要高效功率传输的应用场景。
NTMFS8530N
IRLB8748PBF
FDP020N03L
