NTP7513 时间：2025/9/13 16:05:04 阅读：14

NTP7513是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的应用设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种场景。NTP7513采用TO-220封装形式，具备良好的热性能和可靠性，适用于工业、汽车以及消费类电子产品中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：100V
　　连续漏极电流（Id）：40A
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V驱动时为0.017Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V至4.0V
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装形式：TO-220

特性

NTP7513具有较低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低导通损耗并提高系统效率。其40A的连续漏极电流能力使其能够应对高功率应用场景。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，在高负载条件下依然保持稳定工作。NTP7513的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至10V之间正常工作，适用于多种驱动电路配置。其TO-220封装不仅便于安装和散热管理，还提升了器件在高功率应用中的可靠性。
　　NTP7513还具备优异的雪崩能量承受能力，增强了器件在开关过程中可能出现的高电压尖峰情况下的耐用性。这一特性使其特别适合用于需要频繁开关的DC-DC转换器、H桥电机驱动电路以及高侧/低侧开关应用。此外，该器件的快速开关特性减少了开关损耗，有助于提高整体系统的能效和响应速度。

应用

NTP7513广泛应用于各类电力电子系统中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）等应用。由于其高可靠性和优异的热性能，NTP7513也常被用于高要求的工业和车载电源设计中。