时间：2025/8/20 19:25:15
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NTP45N06/D 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高电流和高功率应用，具有较低的导通电阻和较高的热稳定性。该MOSFET广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、负载开关以及电池供电设备中。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：45A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大20mΩ（典型值14mΩ）
功耗（PD）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220、DPAK（取决于具体后缀）
NTP45N06/D 具备多项优良的电气和热性能特性，使其在功率电子应用中表现出色。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提高系统效率，同时减少散热需求，从而简化散热设计。该器件支持高达45A的连续漏极电流，适用于需要高电流承载能力的场景，如电源转换和电机驱动。
此外，NTP45N06/D 提供高达60V的漏源击穿电压，使其能够在中高压应用中稳定运行。栅极驱动电压范围宽泛，支持常见的10V或更低的驱动电压，兼容多种控制电路设计。其封装形式（如TO-220或DPAK）具有良好的热传导性能，确保在高功率工作条件下保持稳定。
NTP45N06/D 主要应用于需要高效率和高电流能力的功率电子系统中。常见用途包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、电动工具、UPS不间断电源和车载充电系统等场景。其优异的导通特性和热稳定性使其成为高性能电源设计中的理想选择。
Si444N06, FDP45N06, IRF45N06, IPW45N06, NTD45N06
