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NTP18N06LG 发布时间 时间:2025/6/11 9:53:50 查看 阅读:15

NTP18N06LG是一款由Newport公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小尺寸的SOT23-3封装形式,广泛应用于消费电子、工业控制以及电源管理领域。其低导通电阻和高开关速度的特点使其非常适合于负载开关、DC-DC转换器以及电池保护等应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:1.8A
  导通电阻(典型值):0.25Ω
  栅极阈值电压:1.8V~3.0V
  工作结温范围:-55℃~150℃
  封装形式:SOT23-3

特性

NTP18N06LG具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功耗并提高效率。
  2. 高开关速度,能够快速响应动态负载变化。
  3. 小巧的SOT23-3封装设计,节省了PCB板空间,适合小型化应用。
  4. 支持宽范围的工作温度,适用于各种恶劣环境下的电路设计。
  5. 可靠的电气性能,具备较高的抗浪涌能力,保证长时间稳定运行。
  6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。

应用

NTP18N06LG适用于多种应用场景,包括但不限于:
  1. 消费类电子产品中的电源管理模块,如手机充电器、平板电脑适配器等。
  2. 工业设备中的信号切换与控制电路。
  3. 各种类型的DC-DC转换器设计,提供高效的电压转换功能。
  4. 电池管理系统中的负载开关或保护电路,确保电池安全使用。
  5. LED驱动电路中作为开关元件,调节LED亮度或实现恒流控制。

替代型号

NTD18N06L, FDN340P, BSS138

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NTP18N06LG参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 7.5A,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds440pF @ 25V
  • 功率 - 最大48.4W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称NTP18N06LGOS