NTP18N06LG是一款由Newport公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小尺寸的SOT23-3封装形式,广泛应用于消费电子、工业控制以及电源管理领域。其低导通电阻和高开关速度的特点使其非常适合于负载开关、DC-DC转换器以及电池保护等应用。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:1.8A
导通电阻(典型值):0.25Ω
栅极阈值电压:1.8V~3.0V
工作结温范围:-55℃~150℃
封装形式:SOT23-3
NTP18N06LG具有以下主要特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少功耗并提高效率。
2. 高开关速度,能够快速响应动态负载变化。
3. 小巧的SOT23-3封装设计,节省了PCB板空间,适合小型化应用。
4. 支持宽范围的工作温度,适用于各种恶劣环境下的电路设计。
5. 可靠的电气性能,具备较高的抗浪涌能力,保证长时间稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
NTP18N06LG适用于多种应用场景,包括但不限于:
1. 消费类电子产品中的电源管理模块,如手机充电器、平板电脑适配器等。
2. 工业设备中的信号切换与控制电路。
3. 各种类型的DC-DC转换器设计,提供高效的电压转换功能。
4. 电池管理系统中的负载开关或保护电路,确保电池安全使用。
5. LED驱动电路中作为开关元件,调节LED亮度或实现恒流控制。
NTD18N06L, FDN340P, BSS138