时间：2025/5/30 14:17:41
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NTP13N10G是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的电子设备中。
NTP13N10G的设计目标是为用户提供高性能和可靠的功率开关解决方案。其封装形式通常为TO-220或TO-252（DPAK），便于散热设计和电路板布局。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：13A
导通电阻：0.15Ω
栅极电荷：40nC
开关时间：ton=28
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高效功率传输：NTP13N10G具有低导通电阻，从而减少导通损耗，提高整体效率。
2. 快速开关性能：其低栅极电荷和快速开关时间使其适用于高频应用，能够降低开关损耗。
3. 热稳定性强：器件能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能，适合恶劣环境下的使用。
4. 小型化封装：TO-220或TO-252封装提供出色的散热能力，同时节省PCB空间。
5. 高可靠性：通过严格的质量控制流程，确保器件在长期使用中的稳定性和可靠性。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动
4. 负载开关
5. 电池保护
6. 工业自动化系统
7. 消费类电子产品中的功率管理模块
NTP14N10G, IRFZ44N, FDP14N10
