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NTP13N10G 发布时间 时间:2025/5/30 14:17:41 查看 阅读:8

NTP13N10G是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载开关以及其他需要高效功率管理的电子设备中。
  NTP13N10G的设计目标是为用户提供高性能和可靠的功率开关解决方案。其封装形式通常为TO-220或TO-252(DPAK),便于散热设计和电路板布局。

参数

最大漏源电压:100V
  连续漏极电流:13A
  导通电阻:0.15Ω
  栅极电荷:40nC
  开关时间:ton=28
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高效功率传输:NTP13N10G具有低导通电阻,从而减少导通损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关性能:其低栅极电荷和快速开关时间使其适用于高频应用,能够降低开关损耗。
  3. 热稳定性强:器件能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能,适合恶劣环境下的使用。
  4. 小型化封装:TO-220或TO-252封装提供出色的散热能力,同时节省PCB空间。
  5. 高可靠性:通过严格的质量控制流程,确保器件在长期使用中的稳定性和可靠性。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电机驱动
  4. 负载开关
  5. 电池保护
  6. 工业自动化系统
  7. 消费类电子产品中的功率管理模块

替代型号

NTP14N10G, IRFZ44N, FDP14N10

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NTP13N10G参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C165 毫欧 @ 6.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds550pF @ 25V
  • 功率 - 最大64.7W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220AB
  • 包装管件
  • 其它名称NTP13N10GOS