时间：2025/5/31 1:33:05
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NTP125N02RG 是一款由 Nexperia（原 Philips 半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为 SOT-23，适合用于空间受限的设计场景。
该器件广泛应用于消费电子、通信设备以及工业控制等领域，适用于负载开关、同步整流、DC-DC 转换器、电池管理等应用。
最大漏源电压：20V
连续漏极电流：0.68A
导通电阻：125mΩ
栅极阈值电压：1.2V
总功耗：400mW
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NTP125N02RG 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高频开关条件下减少功率损耗。
2. 高开关速度设计，可有效降低开关损耗并提高效率。
3. 小型化封装（SOT-23），非常适合便携式设备和其他需要紧凑布局的应用。
4. 宽工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），能够适应恶劣环境下的运行需求。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计，适合现代绿色电子产品的要求。
NTP125N02RG 常用于以下应用场景：
1. 消费类电子产品的负载开关设计。
2. 各种 DC-DC 转换器中的同步整流功能实现。
3. 电池管理系统中的保护和切换电路。
4. 移动设备中的电源管理模块。
5. 工业自动化设备中的小型化控制电路。
由于其小体积和高性能特点，这款 MOSFET 特别适合对空间和能效要求较高的设计。
NTSM125N02L, BSS138
