时间：2025/9/10 15:28:21
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NTP107M10TRD是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于电源管理和开关电路中，提供高效的电流控制能力。该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和高电流处理能力，适用于需要高效能和高可靠性的电子系统。其封装形式为DPAK（TO-252），便于在PCB上安装和散热。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：10A（在Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：0.32Ω（最大值，Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：2.0W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：DPAK（TO-252）
NTP107M10TRD具有多项优异的电气和物理特性，使其适用于各种功率开关应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其次，该器件具有较高的电流处理能力，在10A连续漏极电流下仍能保持稳定工作，适用于中高功率应用。此外，NTP107M10TRD采用DPAK封装，具有良好的热管理和散热性能，能够在高负载条件下保持较低的结温。该MOSFET还具备较高的耐压能力，最大漏源电压为100V，适用于多种DC-DC转换器、电源开关、负载开关以及电机控制电路。其栅极驱动电压范围宽广，兼容常见的10V或12V驱动电路，便于与各种控制芯片配合使用。最后，该器件在高温环境下仍能保持稳定工作，适用于工业控制、电源管理和汽车电子等对可靠性要求较高的应用场景。
NTP107M10TRD适用于多种功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电源管理模块以及电机控制电路。该MOSFET常用于工业自动化设备、电源适配器、UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统中的开关控制电路。由于其高可靠性和良好的热性能，NTP107M10TRD也适用于需要长时间高负载运行的系统。
IRFZ44N, FDPF10N10L, STP10NK10Z, FQP10N10L
