时间：2025/9/4 16:54:25
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NTNS3193NZ 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了优异的导通性能和开关性能，适用于高效率电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备等应用。NTNS3193NZ 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热性能和高功率密度。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：9.8A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：32mΩ @ VGS = 10V
栅极电荷（Qg）：12nC
工作温度范围：-55°C 至 150°C
NTNS3193NZ 采用先进的沟槽型 MOSFET 技术，具备极低的导通电阻（RDS(on)），在 10V 栅极电压下仅为 32mΩ，显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件的封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的散热能力，适合在中高功率应用中使用。此外，该 MOSFET 具有快速开关特性，栅极电荷（Qg）仅为 12nC，有助于减少开关损耗，提高整体能效。
其栅源电压范围为 ±20V，具有较高的驱动灵活性，同时内置的雪崩能量保护功能增强了器件在高应力环境下的可靠性。该器件符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。此外，NTNS3193NZ 在工作温度范围上表现优异，可在 -55°C 至 150°C 的极端温度下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制等苛刻环境。
NTNS3193NZ 广泛应用于各类电力电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。其典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及电源管理模块。由于其低导通电阻和快速开关特性，特别适用于需要高效率转换的便携式设备、服务器电源、通信设备和汽车电子系统。
在汽车电子领域，NTNS3193NZ 可用于车载充电器、LED 照明驱动、电动助力转向系统（EPS）等应用。在工业控制方面，该器件适用于 PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源和自动化设备中的开关电路。此外，其良好的热稳定性和抗环境干扰能力也使其成为太阳能逆变器、储能系统和智能电网设备中的理想选择。
SiSS190N, FDS6680, IRF7413, FDMS3610
