时间：2025/6/21 4:58:14
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NTMS4917NR2G 是一款来自安森美（ON Semiconductor）的高效能 N 沟道 MOSFET 场效应晶体管。这款器件采用小尺寸封装，适合用于各种需要高效率和低功耗的应用场景。
该器件主要特点是低导通电阻和出色的开关性能，这使其非常适合用作功率转换电路中的开关元件，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池管理等应用。
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷（Qg）：18nC
总电容（Ciss）：1090pF
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
NTMS4917NR2G 提供了非常低的导通电阻，从而显著减少了传导损耗，提高了系统的整体效率。
其超小型封装设计（采用 LFPAK56(D2PAK) 封装），有助于减少 PCB 空间占用，同时提供优异的散热性能。
此外，它还具备快速开关速度，可以有效降低开关损耗，并支持高频操作。这些特点使得该产品在空间受限和高性能要求的设计中表现出色。
NTMS4917NR2G 广泛应用于消费类电子产品、工业设备及汽车电子领域。
典型应用包括：
- 开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器
- 笔记本电脑和手机充电器
- 电动工具和家用电器中的电机控制
- 各种负载开关和保护电路
- 电池管理系统（BMS）中的电池充放电控制
由于其高可靠性与卓越性能，也适用于工业自动化和汽车电子系统中的一些关键组件。
NTMS4918NR2G
FDMF8814
IRL540N
