NTMS4802NR2G 时间：2025/5/9 12:31:09 阅读：6

NTMS4802NR2G 是一款由 ON Semiconductor（安森美）生产的双路 N 沛 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小尺寸封装设计，主要应用于电源管理、负载开关、电池保护等电路中。它通过将两个 N 沟道 MOSFET 集成在一个封装内，从而减少了 PCB 占用空间并提高了设计灵活性。
　　该芯片具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度以及良好的热稳定性，使其非常适合便携式电子设备、消费类电子产品以及其他需要高效功率控制的应用场景。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　封装：TSOP-6
　　VDS（漏源电压）：30V
　　VGS（栅源电压）：±20V
　　Rds(on)（导通电阻，典型值）：1.5Ω @ VGS = 4.5V
　　连续漏极电流（ID）：2A @ 25°C
　　功耗（PD）：570mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

NTMS4802NR2G 的主要特性包括：
　　1. 双路 N 沟道 MOSFET 集成设计，节省空间。
　　2. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低功耗并提高效率。
　　3. 支持较高的漏源电压和连续漏极电流，适应多种应用需求。
　　4. 良好的电气特性和热稳定性，确保在极端条件下可靠运行。OP-6 封装，便于布局与焊接，适合紧凑型设计。
　　6. 宽广的工作温度范围，适用于各种工业及消费级环境。
　　这些特性使 NTMS4802NR2G 成为众多低功耗、高效能应用的理想选择。

应用

NTMS4802NR2G 广泛应用于以下领域：
　　1. 电源管理模块中的负载开关和电平转换。
　　2. 消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备的电源管理。
　　3. 电池保护电路，用于过流、过压及短路保护。
　　4. 数据通信接口的保护和切换。
　　5. 工业控制系统的信号切换与隔离。
　　由于其优异的性能和紧凑的封装设计，NTMS4802NR2G 特别适合于对空间和效率有严格要求的应用场景。