时间：2025/5/26 16:17:24
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NTMS4800NR2G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于各种高效能电源转换和电机驱动应用。其封装形式为 SOIC-8，适合表面贴装技术（SMT），并具有出色的热性能。
这款 MOSFET 主要用于需要高性能和低功耗的场合，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理等系统中。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：10A
导通电阻：5.5mΩ
总栅极电荷：17nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：SOIC-8
NTMS4800NR2G 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高电流条件下减少功率损耗。
2. 快速开关速度，降低开关损耗，提升效率。
3. 高雪崩能力，提供更强的过载保护功能。
4. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
5. 具备良好的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的应用场景。
6. 小型化封装设计，节省 PCB 空间，便于实现高密度电路布局。
7. 支持多种工作模式，适应不同的电源管理和信号处理需求。
NTMS4800NR2G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）及 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 各类电机驱动系统，如步进电机、无刷直流电机等。
3. 负载开关与保护电路，确保设备安全运行。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 通信电源、消费电子及汽车电子等领域的高效能源转换方案。
NTMFS4800N, IRFZ44N, FDP5570
