时间：2025/5/10 13:31:36
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NTMS4705NR2G是一款来自安森美（onsemi）的双通道N沟道增强型MOSFET功率晶体管，采用超小型DFN封装。该器件专为低功耗和高效能应用设计，具有非常低的导通电阻（Rds(on)），从而能够有效减少功率损耗。
这款MOSFET非常适合在便携式设备、消费类电子、计算机外设等场景中使用，尤其是在需要高效率和节省空间的应用中表现优异。
型号：NTMS4705NR2G
封装：DFN-8 (3x3mm)
Vgs(th)（栅极阈值电压）：1.1V ~ 2.2V
Rds(on)（导通电阻，典型值，在Vgs=4.5V时）：1.2mΩ
Rds(on)（导通电阻，最大值，在Vgs=4.5V时）：1.6mΩ
漏极电流（Id）：13A（连续工作电流）
脉冲漏极电流（Id pulsed）：29A
Vds（漏源击穿电压）：30V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
NTMS4705NR2G具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可以显著降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高脉冲电流能力，适用于瞬态电流较大的应用环境。
3. 小尺寸DFN-8封装，节省PCB板空间。
4. 宽泛的工作温度范围，能够在极端条件下保持稳定性能。
5. 优异的开关速度，适合高频开关应用。
6. 高可靠性和稳定性，符合RoHS标准，环保无铅。
NTMS4705NR2G广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. DC/DC转换器及负载点（POL）转换模块。
3. 电池供电设备中的负载切换控制。
4. 消费类电子产品中的电机驱动与保护电路。
5. 计算机外围设备（如USB接口、硬盘驱动器）的过流保护。
6. 手机和平板电脑等便携式设备的电源管理方案。
NTMS4806NR2G, NTMS4907NR2G
