时间：2025/6/17 1:29:06
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NTMS4704NR2G 是一款来自 ON Semiconductor 的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小尺寸封装设计，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于需要高效功率转换的电路中。其广泛应用于电源管理、负载开关、电机驱动以及电池保护等领域。
NTMS4704NR2G 采用超小型 DPAK (TO-263) 封装，能够在有限的空间内提供卓越的性能，同时具备良好的散热能力。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：18A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
总功耗：29W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DPAK (TO-263)
1. 极低的导通电阻，确保了高效的功率传输并减少了发热。
2. 高额定电流能力使其适用于大功率应用。
3. 超薄封装设计节省了PCB空间，适合紧凑型设计需求。
4. 快速开关速度降低开关损耗，提高系统效率。
5. 支持宽范围的工作温度，适应极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
1. 开关模式电源 (SMPS)
2. DC-DC 转换器
3. 电池保护电路
4. 电机驱动控制
5. 汽车电子中的负载开关
6. 工业自动化设备中的功率管理
NTMS4804N, IRFZ44N, FDP5570
