时间：2025/4/30 18:14:36
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NTMS4503NR2G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 SuperFET II 技术制造，具有低导通电阻和高开关效率的特点，广泛应用于功率管理、电机驱动以及 DC-DC 转换等场景。其封装形式为 SOIC-8，适合表面贴装工艺。
SuperFET 技术使得 NTMS4503NR2G 在高频应用中表现出优异的性能，同时优化了热特性和电气特性，能够满足现代电子设备对高效能和紧凑设计的需求。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：37A
导通电阻（典型值）：1.9mΩ
栅极电荷（典型值）：48nC
总功耗：2.6W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NTMS4503NR2G 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，支持高达 37A 的连续漏极电流。
3. 先进的 SuperFET II 技术确保在高频开关应用中的卓越性能。
4. 紧凑的 SOIC-8 封装节省了印刷电路板的空间。
5. 宽泛的工作温度范围使其适用于各种环境条件下的应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
NTMS4503NR2G 主要用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电机驱动和控制电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
6. 汽车电子系统中的功率分配模块。
NTMS4502NR2G, FDP5500NL, IRL3103TRPBF
