NTMFS5C628NL 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET,广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、同步整流等领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有较低的导通电阻(RDS(on)),有助于降低导通损耗,提高系统效率。其封装形式为 5-Pin TSOP,适用于高密度和高效率的电源设计。
类型:N 沟道
最大漏极电流(ID):120 A
最大漏源电压(VDS):60 V
最大栅源电压(VGS):±20 V
导通电阻(RDS(on)):1.7 mΩ @ VGS = 10 V
导通电阻(RDS(on)):2.5 mΩ @ VGS = 4.5 V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:5-Pin TSOP
NTMFS5C628NL 的主要特性之一是其极低的导通电阻,在 VGS = 10 V 时 RDS(on) 仅为 1.7 mΩ,显著降低了导通损耗,从而提高了电源转换效率。此外,该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 工艺,实现了更高的电流密度和更小的芯片尺寸,提升了功率密度。
该 MOSFET 具有较高的热稳定性和可靠性,能够在高电流和高温环境下稳定工作。其栅极设计支持快速开关,降低了开关损耗,适用于高频开关应用。同时,器件的栅源电压范围为 ±20 V,具有较好的过压耐受能力,增强了系统的稳定性。
NTMFS5C628NL 采用 5-Pin TSOP 封装,该封装不仅具有良好的散热性能,还减少了封装电阻和电感,进一步提升了器件的整体性能。此外,该封装形式适合自动化贴片生产,提高了制造效率。
在安全性和保护方面,该器件具备良好的雪崩能量承受能力,能够应对突发的过载或短路情况,增强了系统的鲁棒性。其工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适用于各种工业和汽车电子环境。
NTMFS5C628NL 主要应用于高效能电源管理系统,如 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动器以及服务器和通信设备的电源模块。由于其低导通电阻和高电流能力,该器件特别适合用于高功率密度和高效率要求的应用场景。
在服务器电源和电信设备中,NTMFS5C628NL 可作为主功率开关或同步整流器使用,显著提升转换效率。在电池管理系统中,该器件可作为高侧或低侧开关,用于控制电池充放电路径。此外,该 MOSFET 还广泛应用于电动汽车(EV)充电模块、光伏逆变器、UPS(不间断电源)系统等新能源领域。
由于其良好的热性能和高可靠性,该器件也常用于工业自动化设备、高频电源变换器以及嵌入式系统中的电源管理部分。
Si7461DP, FDS6680, NVTFS5C628WLW, IPB013N06N3 G, Nexperia PSMN5R9-60YS