时间：2025/4/29 10:00:51
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NTMFS5C612NLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适合用于各种高效能电源管理应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及通信电源等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 LFPAK88，也被称为 Power88，是一种紧凑且散热性能优异的表面贴装封装。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：79A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷（典型值）：48nC
开关速度：快速
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：LFPAK88 (Power88)
逻辑电平兼容：是
NTMFS5C612NLT1G 具有非常低的导通电阻，这有助于减少导通损耗并提高系统效率。同时，其快速开关特性和较低的栅极电荷使得它在高频开关应用中表现优异。
此外，该器件的高电流承载能力和宽温度范围使其能够适应恶劣的工作环境。LFPAK88 封装设计提供了良好的散热性能和机械稳定性，非常适合高密度印刷电路板布局。
由于其高性能指标，这款 MOSFET 在需要高效能和高可靠性的场合中备受青睐。
NTMFS5C612NLT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电动车辆中的电池管理系统（BMS）与电机驱动控制。
3. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
4. 高效节能的通信基础设施电源模块。
5. 大功率 LED 照明驱动电路。
6. 各种消费类电子产品的适配器和充电器设计。
NTMFS5C606NL, FDP5512, IRF7773PbF
