NTMFS4C810NT1G 时间：2025/5/8 14:01:36 阅读：11

NTMFS4C810NT1G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 (D2PAK) 封装。该器件具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特性，适用于多种功率转换和电机驱动应用。
　　该芯片由 ON Semiconductor 提供，主要面向工业和消费类电子领域，广泛用于 DC/DC 转换器、电源管理电路、负载开关以及电机控制等场景。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：75A
　　导通电阻（典型值）：4.5mΩ
　　栅极电荷：49nC
　　总电容（输入电容）：1850pF
　　开关频率范围：最高支持至 500kHz
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-263 (D2PAK)

特性

NTMFS4C810NT1G 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高效率。
　　2. 高电流承载能力，适合大功率应用。
　　3. 快速开关性能，降低开关损耗，特别适合高频电路设计。
　　4. 具备出色的热稳定性，能够在极端温度范围内可靠运行。
　　5. 小尺寸封装，便于 PCB 布局优化。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子制造工艺。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的主开关管。
　　2. 工业和消费类电机驱动电路中的功率级元件。
　　3. 大功率负载开关，用于电池管理系统和其他需要高电流切换的应用。
　　4. 各种逆变器设计中的关键功率元件。
　　5. 可再生能源系统（如太阳能微逆变器）中的功率转换模块。
　　其高效率和可靠性使其成为众多功率密集型应用的理想选择。