时间：2025/4/29 10:42:33
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NTMFS4C10NT1G 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 ON Semiconductor 公司生产。这款器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，适用于各种电源管理和开关应用。
该型号的设计旨在为设计者提供一种高性能的解决方案，特别适合在高频开关条件下使用。其封装形式为 TO-263（DPAK），便于安装和散热管理。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：8.7A
导通电阻：8.5mΩ
栅极电荷：19nC
开关速度：快速
封装类型：TO-263（DPAK）
NTMFS4C10NT1G 的主要特点是其低导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。此外，其快速开关性能使得它非常适合用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用中。
该器件还具备出色的热稳定性和耐用性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。由于其封装体积较小且易于焊接，因此也非常适合表面贴装技术（SMT）生产环境。
NTMFS4C10NT1G 广泛应用于多种电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 同步整流电路
4. 电机驱动与控制
5. 电池保护电路
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
凭借其卓越的性能，这款 MOSFET 成为了许多工程师首选的功率开关元件。
NTMFS4C09N, IRFZ44N, FDP5500
