时间：2025/3/26 8:41:22
阅读：7
NTMFS4C03NT1G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于超低导通电阻的场效应晶体管。该器件采用先进的制程技术制造，适用于高频、高效能的开关应用场合。其设计目标是提供极低的导通电阻和高开关速度，以满足现代电子设备对节能和高性能的需求。
这款功率 MOSFET 的封装形式为 SOT-23，使其非常适合空间受限的设计场景。同时，它具有良好的热性能和电气特性，能够在广泛的温度范围内稳定工作。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻：45mΩ
栅极电荷：1.9nC
总电容：76pF
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
NTMFS4C03NT1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够减少传导损耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用。
3. 小型化的 SOT-23 封装节省了 PCB 空间。
4. 出色的热稳定性，确保在高温环境下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 提供稳定的电气性能，适用于多种便携式电子设备和电源管理方案。
NTMFS4C03NT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器，包括降压和升压电路。
3. 电池保护和管理系统。
4. 负载开关和电机驱动控制。
5. 消费类电子产品，例如智能手机和平板电脑中的电源管理模块。
6. LED 驱动电路以及小型化电源适配器。
NTMFS4C06N, FDMT4103Z, PSMN022-30PL
