NTMFS4927N 时间：2025/8/4 17:52:47 阅读：13

NTMFS4927N 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高性能功率开关应用而设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热性能，适用于各种电源管理和 DC-DC 转换器应用。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：85A
　　导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V 时为 4.7mΩ，@Vgs=4.5V 时为 6.6mΩ
　　功耗（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8 双散热片封装

特性

NTMFS4927N 具有非常低的导通电阻特性，这使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽技术，使得在保持高性能的同时具备良好的热稳定性。
　　此外，NTMFS4927N 的 PowerPAK SO-8 封装设计提供了优异的散热性能，确保在高负载条件下仍能维持较低的工作温度。其高耐压特性（Vds=30V）使其适用于多种电源管理应用，包括同步整流、负载开关和 DC-DC 转换器等。
　　该 MOSFET 还具备较高的栅极抗静电能力（ESD 保护），增强了在复杂电路环境中的可靠性。同时，其栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高整体系统的能效。
　　NTMFS4927N 的工作温度范围较宽（-55°C 至 +175°C），适用于工业级和汽车级应用环境，确保在极端温度条件下仍能稳定运行。

应用

NTMFS4927N 广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中。其主要应用包括 DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源管理模块以及汽车电子系统。
　　由于其低导通电阻和高电流承载能力，它特别适合用于需要高效率和小尺寸设计的电源转换器，例如笔记本电脑电源适配器、服务器电源、电信设备电源模块等。
　　在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）以及其他需要高可靠性和高性能的汽车电源管理应用。
　　此外，NTMFS4927N 还适用于工业自动化设备、LED 照明驱动器以及可再生能源系统中的功率转换模块。