类别:分离式半导体产品
类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.5 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:19.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2354pF @ 12V
功率 - 最大:870mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:5-DFN, SO8 FL
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:SO-8