时间：2025/7/14 15:29:03
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NTMFS022N15MC 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种高效率电源管理系统中。该器件采用了先进的沟槽技术，提供低导通电阻和高电流承载能力，适用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等应用场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：8A
最大漏源电压 (Vds)：150V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：22mΩ @ Vgs = 10V
导通阈值电压 (Vgs(th))：1.6V ~ 2.4V
封装类型：PowerPAK? SO-8 双散热焊盘
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
NTMFS022N15MC 的核心优势在于其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 22mΩ，在 10V 栅极驱动条件下可实现高效的电流传导，显著降低功率损耗并提高系统效率。该器件采用 PowerPAK? SO-8 封装，具备双侧散热焊盘设计，有助于快速散热，确保在高负载工况下保持稳定运行。
此外，该 MOSFET 支持高达 8A 的连续漏极电流和 150V 的漏源电压，具有较强的电气性能和耐用性，适合高压应用环境。栅极驱动电压兼容主流控制器，可在 10V 至 20V 范围内正常工作，便于集成到多种电源管理电路中。
器件还具备良好的热稳定性与短路保护能力，能够在高温或瞬态过载情况下维持可靠工作，延长设备使用寿命。其紧凑的表面贴装封装形式也简化了 PCB 设计，提高了空间利用率。
NTMFS022N15MC 主要应用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中，如同步整流式 DC-DC 转换器、电池供电设备中的负载开关、服务器与通信设备的电源模块、电机驱动与控制电路以及工业自动化系统中的功率调节装置。此外，由于其优异的热管理和电气特性，该器件也非常适合用于高密度电源供应系统及便携式电子产品中的功率管理模块。
SiHF15N40E, FDPF15N40, FDS4435
