NTLUS3A40PZTAG 是一款 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(MOSFET),适用于多种开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力,广泛应用于电源转换、电机驱动以及负载开关等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263-3(DPAK),具有良好的散热性能和紧凑的体积,适合高密度电路设计。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:38A
导通电阻:1.8mΩ
栅极阈值电压:1V 至 2.5V
总功耗:140W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
NTLUS3A40PZTAG 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关速度,能够降低开关损耗,适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
5. 支持逻辑电平驱动,便于与标准数字控制器集成。
6. 封装设计坚固耐用,适合表面贴装技术(SMT)组装。
该 MOSFET 常用于以下应用领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载控制。
4. 电机驱动电路中的开关元件。
5. 各类负载开关和保护电路。
6. 工业自动化设备中的功率级控制模块。
NTLG3N40LPTG, IRF3710TRPBF, FDP5580NL