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NTLUS3A40PZTAG 发布时间 时间:2025/5/21 13:22:14 查看 阅读:4

NTLUS3A40PZTAG 是一款 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管(MOSFET),适用于多种开关和功率管理应用。该器件具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力,广泛应用于电源转换、电机驱动以及负载开关等场景。
  这款 MOSFET 的封装形式为 TO-263-3(DPAK),具有良好的散热性能和紧凑的体积,适合高密度电路设计。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极阈值电压:1V 至 2.5V
  总功耗:140W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

NTLUS3A40PZTAG 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 快速开关速度,能够降低开关损耗,适合高频应用。
  3. 高雪崩能量能力,提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
  4. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
  5. 支持逻辑电平驱动,便于与标准数字控制器集成。
  6. 封装设计坚固耐用,适合表面贴装技术(SMT)组装。

应用

该 MOSFET 常用于以下应用领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载控制。
  4. 电机驱动电路中的开关元件。
  5. 各类负载开关和保护电路。
  6. 工业自动化设备中的功率级控制模块。

替代型号

NTLG3N40LPTG, IRF3710TRPBF, FDP5580NL

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NTLUS3A40PZTAG参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列µCool™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫欧 @ 6.4A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs29nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2600pF @ 15V
  • 功率 - 最大700mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装6-uDFN(2x2)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称NTLUS3A40PZTAG-NDNTLUS3A40PZTAGOSTR