时间：2025/8/2 9:07:15
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NTLJF3117PT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的 Trench 技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、马达控制和电池管理系统等应用。该 MOSFET 采用 SOT-223 封装，具有良好的热性能和电流处理能力。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：5.6A
最大漏源电压 (Vds)：20V
最大栅源电压 (Vgs)：±12V
导通电阻 Rds(on)：@Vgs=4.5V 时最大为 23mΩ；@Vgs=2.5V 时最大为 29mΩ
栅极电荷 (Qg)：12nC（典型值）
输入电容 (Ciss)：340pF（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-223
NTLJF3117PT1G 的关键特性之一是其低导通电阻，能够在较低的电压下实现高效的功率传输，从而降低功率损耗和温升。此外，该器件支持在低至 2.5V 的栅极电压下工作，使其适用于低压逻辑控制器（如微控制器）直接驱动的应用。
另一个显著优势是其具备出色的热性能，得益于 SOT-223 封装设计，该器件在高电流负载下仍能保持良好的散热能力，提升系统的可靠性和稳定性。此外，NTLJF3117PT1G 具有快速开关特性，减少开关损耗并提高整体转换效率，适用于高频开关电源设计。
该 MOSFET 还具有较高的耐用性和抗静电能力（ESD 保护），确保在复杂电磁环境中稳定运行。其设计符合 RoHS 标准，适用于环保电子产品的制造。
NTLJF3117PT1G 广泛应用于各类电力电子系统中，特别是在需要高效率和小尺寸封装的场合。常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关电路、电池管理系统（BMS）、便携式设备电源管理、马达驱动电路以及各类工业自动化控制设备中的功率开关部分。
由于其低导通电阻和低电压驱动能力，该器件特别适合用于由 3.3V 或 5V 微控制器或 DSP 控制的功率开关系统。此外，其高热稳定性和封装散热性能也使其适用于高密度电源模块和嵌入式系统设计。
Si2302DS, FDS6675, NTD14N02LT4G
