时间：2025/8/28 14:48:09
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NTLJD4114N是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、高频率开关应用而设计。该器件采用先进的Trench沟槽工艺技术制造，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于多种电源管理和功率转换电路。
类型：N沟道
漏极电流（Id）：10A（最大值）
漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（典型值，Vgs=10V）
功率耗散（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C至175°C
NTLJD4114N的主要特性包括低导通电阻，可显著降低导通损耗，提高系统效率；其沟槽式MOSFET结构优化了导通性能和开关速度之间的平衡，从而减少了开关损耗，适用于高频操作。此外，该器件具备高雪崩能量能力，增强了其在严苛环境下的可靠性和稳定性。NTLJD4114N还具有良好的热稳定性，可在高温度条件下保持稳定性能，适用于各种恶劣工作环境。由于其优异的性能指标和高可靠性，这款MOSFET广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及其他需要高效功率控制的电路设计中。
在封装方面，NTLJD4114N采用先进的PowerPAK SO-8封装形式，具有良好的散热性能，同时体积小巧，适合高密度PCB布局。这种封装形式也有助于提升器件的机械强度和耐久性，适用于汽车电子、工业自动化、通信设备和消费类电子产品等多种应用领域。
NTLJD4114N适用于多种电源管理与功率控制应用，例如：同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、LED照明系统、电池充电管理电路以及各种工业自动化设备中的功率控制模块。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统、车身控制模块等。
Si4410BDY, IRF7413, FDS6680, NTD4858N
