时间：2025/4/30 14:04:53
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NTK3134NT5G 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于需要高效率和快速开关的应用场景，例如 DC-DC 转换器、同步整流器以及负载开关等。其采用了先进的制造工艺，在低导通电阻和小型封装方面表现优异。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：49A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：76nC
输入电容：1830pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
NTK3134NT5G 具有非常低的导通电阻 (Rds(on))，这使得它在功率转换应用中能够减少传导损耗，从而提高整体效率。
此外，该器件还具有较高的雪崩击穿能量，可以承受瞬态过压情况下的冲击，增强了系统的可靠性。
它的 TO-263-3 封装形式使其易于安装，并且能够提供良好的散热性能。
由于其快速开关能力，这款 MOSFET 非常适合高频应用场合，同时支持汽车级认证标准，适用于严苛环境下的使用。
NTK3134NT5G 广泛应用于各种功率电子系统中，包括但不限于：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电池管理系统 (BMS)，用于保护电路及充放电控制。
3. 汽车电子领域，如电机驱动、车载充电器及 LED 照明。
4. 工业设备中的负载切换与功率调节模块。
5. 可再生能源系统，例如太阳能微逆变器和储能单元中的功率管理部分。
NTMFS4C368NL
FDP5580
IRFZ44N
