时间：2025/4/29 8:59:05
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NTHD4P02FT1G 是一款基于硅技术的 N 沟道增强型场效应晶体管 (MOSFET)，专为高频开关应用设计。该器件采用 TO-263 封装，适用于功率转换、电机驱动以及负载切换等场景。
其低导通电阻和快速开关特性使其在高效能电源管理领域表现出色，同时封装形式便于散热和集成到各种电子系统中。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.9A
导通电阻：17mΩ
栅极电荷：8nC
总电容：430pF
工作温度范围：-55℃ to 150℃
NTHD4P02FT1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效减少传导损耗，提高效率。
2. 快速的开关速度，使得它非常适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业要求。
5. 封装坚固耐用，适合高密度组装及长期稳定运行。
6. 内部优化设计降低了寄生电感与电容影响，进一步提升了整体性能。
该 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统 (BMS) 的负载控制。
4. 工业设备中的电机驱动电路。
5. 通信设备中的信号切换。
6. 各类消费电子产品中的保护电路和功率管理模块。
NTHD4P02FT1GA, IRFZ44N, FDN340P
