时间：2025/5/7 11:01:47
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NTH4L025N065SC1 是一款由 Nexperia（原飞利浦半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装，具有低导通电阻 (RDS(on电源管理、电机驱动、负载开关等场景。它能够承受高达 650V 的漏源极电压，并且支持大电流连续工作。
该型号设计用于在高频和高压条件下提供出色的性能表现，同时其紧凑的封装形式也使得它非常适合空间受限的应用环境。
最大漏源电压：650 V
最大栅源电压：±20 V
连续漏极电流：25 A
导通电阻 (RDS(on))：70 mΩ @ VGS=10V
总功耗：180 W
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：DPAK (TO-263)
NTH4L025N065SC1 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 RDS(on)，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，适合高频应用。
4. 热稳定性强，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 提供优异的 EMI 性能，减少对外部电路的干扰。
7. 内置保护机制，如过流保护和短路耐受能力，确保系统安全运行。
NTH4L025N065SC1 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和 DC/DC 转换器。
5. LED 照明系统的恒流控制。
6. 各种类型的电池充电器和保护电路。
7. 汽车电子中需要高可靠性与高效能的场合。
NTH4L018N065SC1, IRF540N, STP36NF06L
