时间：2025/5/22 13:42:27
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NTGS4141NT1G 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，属于超低导通电阻系列。该器件采用先进的制造工艺，具备出色的开关特性和低导通损耗，适用于各种高效率功率转换应用。
这款 MOSFET 的封装形式为 SOT-23，体积小巧，非常适合空间受限的设计场景。其主要特点包括极低的导通电阻、快速的开关速度以及良好的热稳定性，这些特性使其在便携式设备、消费电子和工业控制领域中得到广泛应用。
型号：NTGS4141NT1G
类型：N 沟道增强型 MOSFET
Vds（漏源电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：45 mΩ
Id（持续漏电流）：2.6A
Vgs(th)（栅极开启电压）：1V~2.5V
封装：SOT-23
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
NTGS4141NT1G 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 小巧的 SOT-23 封装设计，节省电路板空间。
3. 快速开关能力，适合高频开关应用。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +150℃)，确保在极端环境下的稳定性能。
5. 符合 RoHS 标准，绿色环保。
6. 高可靠性的制造工艺，延长使用寿命。
该款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的同步整流。
2. 电池供电设备中的负载开关和保护电路。
3. 消费类电子产品如智能手机、平板电脑等的电源管理。
4. 工业自动化设备中的电机驱动和信号切换。
5. LED 照明系统的恒流驱动和调光控制。
6. 数据通信和网络设备中的功率管理模块。
NTGS4140N, Si2309DS, FDN340P
