NTGS4111P 时间：2025/6/11 9:52:50 阅读：8

NTGS4111P 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TOLL 封装形式。这款器件主要应用于高效率、高频开关电源以及电机驱动等场景。其设计具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够在较宽的电压范围内提供稳定的性能表现。
　　该器件适用于需要高能效和小尺寸解决方案的应用场合，能够显著降低功耗并提高系统整体性能。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：98A
　　导通电阻（典型值）：3.5mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　输入电容：3040pF
　　反向传输电容：380pF
　　工作结温范围：-55℃ 至 175℃

特性

NTGS4111P 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，能够有效减少传导损耗，提升整体效率。
　　2. 快速开关速度，支持高频操作，适合现代高效能电源转换应用。
　　3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
　　4. 紧凑的封装设计，有助于减小 PCB 占用面积。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
　　6. 能够承受较高的漏极电流，确保在大负载条件下稳定运行。

应用

NTGS4111P 广泛应用于多种领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
　　2. DC-DC 转换器，用于电动汽车和工业设备。
　　3. 电机驱动电路，适用于家用电器和工业自动化。
　　4. 太阳能逆变器和储能系统。
　　5. 电池管理系统（BMS），为锂离子电池组提供保护和管理功能。