时间：2025/7/3 8:38:22
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NTGS3130NT1G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用业界标准的 TO-263 封装（DPAK）。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适合高频开关应用和高效率功率转换场景。其出色的性能使其广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
该器件的最大漏源电压为 30V，最大栅极驱动电压范围宽广，兼容各种逻辑电平输入信号，从而简化了设计过程并提高了系统可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：27A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：34nC（典型值）
反向恢复时间：8ns（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-263（DPAK）
NTGS3130NT1G 的主要特点是低导通电阻和高电流处理能力，能够显著降低传导损耗并提高整体系统效率。
此外，它还具备快速开关速度，可减少开关损耗，在高频应用中表现出色。
该器件支持较宽的 Vgs 工作范围，能够与多种控制电路兼容，同时其高雪崩能量能力和坚固的结构确保了在恶劣条件下的可靠性。
由于采用了 DPAK 封装，该器件具有良好的散热性能，非常适合对热管理要求较高的应用场景。
NTGS3130NT1G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS），包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动和逆变器模块，用于工业自动化和消费类电器。
3. 负载开关和保护电路，如电池管理系统中的充放电路径控制。
4. 电信和数据通信设备中的功率分配网络。
5. 高效 LED 驱动器和汽车电子系统中的功率级控制。
NTGS3120NTP1G, IRF3710TRPBF, FDP15U20AE
