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NTGD4161PT1G 时间：2023/11/6 17:51:50 阅读：149

类别：分离式半导体产品

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：160 毫欧 @ 2.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7.1nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：281pF @ 15V
功率 - 最大：600mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74-6
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：6-TSOP

NTGD4161PT1G推荐供应商更多>

产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

NTGD4161PT1G
深圳市金灿利电子科技有限公司
6805
ON
2023+/SOT163

NTGD4161PT1G
深圳成德兴科技有限公司
19320
ON
2022+/SOT236

NTGD4161PT1G
深圳市华琳达科技有限公司
39000
ON/安森美
22+/6TSOP

NTGD4161PT1G
深圳市域立航科技有限公司
6000
ON/安森美
21+/SOT236

NTGD4161PT1G
艾润（香港）电子有限公司
5000
ON
2017+/SOT163

NTGD4161PT1G
威健芯城国际贸易 (深圳) 有
30000
-
-/-

NTGD4161PT1G
深圳市正川电子有限公司
23412
PTIF
23+/-

NTGD4161PT1G
上海意淼电子科技有限公司
9000
MOT
21+/SMD

NTGD4161PT1G
深圳市诺倍思特科技有限公司
9000
ON/安森美
2022+/TSOP6

NTGD4161PT1G
南方富昌（深圳）电子科技有限
6805
ON
2020+/SOT163

NTGD4161PT1G
深圳市佳微科技有限公司
5000
QUALCOMM/高通
23+/BGA

NTGD4161PT1G
深圳市金锐力科技有限公司
1500
ON
2021+/-

NTGD4161PT1G
深圳市跃创芯科技有限公司
25000
ON/安森美
22+/6TSOP

NTGD4161PT1G
深圳市励芯恒智能科技有限公司
14850
TY/台灣半導体
2022+/SOT236L

NTGD4161PT1G
深圳羚行科技有限公司
8800
ON
22+/SOT163

NTGD4161PT1G
深圳市华芯源电子有限公司
569888
安森美
N/A/21+

NTGD4161PT1G
深圳市英特瑞斯电子有限公司
17500
ON
21+/SOT236

NTGD4161PT1G
深圳市赛恒电子科技有限公司
8600
ON
21+/SOT163

NTGD4161PT1G
深圳市国雨电子有限公司
1586210
ON/安森美
2023+/SOT236

NTGD4161PT1G
得捷（深圳）商贸有限公司
6000
ON
22+/SOT163

NTGD4161PT1G相关型号推荐

IC词条百科

NTGD4161PT1G产品

NTGD4161PT1G参数

标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
FET 型2 个 P 沟道（双）
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 2.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs7.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds281pF @ 15V
功率 - 最大600mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-74，SOT-457
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

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