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NTGD4161PT1G 发布时间 时间:2023/11/6 17:51:50 查看 阅读:160

类别:分离式半导体产品

目录

概述

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFETs - 阵列
FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:160 毫欧 @ 2.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs:7.1nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :281pF @ 15V
功率 - 最大:600mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74-6
包装:带卷 (TR)
供应商设备封装:6-TSOP

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NTGD4161PT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 2.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds281pF @ 15V
  • 功率 - 最大600mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-74,SOT-457
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)