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NTGD4161PT1G 时间：2023/11/6 17:51:50 阅读：126

类别：分离式半导体产品

概述

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFETs - 阵列
FET 型：2 个 P 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：160 毫欧 @ 2.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7.1nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：281pF @ 15V
功率 - 最大：600mW
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SC-74-6
包装：带卷 (TR)
供应商设备封装：6-TSOP

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产品型号
供应商
数量
厂商
封装/批号
询价

NTGD4161PT1G
深圳市宝芯创电子有限公司
6805
ON
2023+/SOT163

NTGD4161PT1G
深圳成德兴科技有限公司
19320
ON
2022+/SOT236

NTGD4161PT1G
深圳市菲悦电子科技有限公司
80000
ON
-/-

NTGD4161PT1G
深圳市念芯电子有限公司
27880
ON
0649+/SOT236

NTGD4161PT1G
深圳市科锐源电子科技有限公司
5000
ON/安森美
20+/SOT236

NTGD4161PT1G
深圳市郓州科技有限公司
8000
ON Semiconductor
23+/6TSOP

NTGD4161PT1G
承裕（深圳）电子有限公司
3000
ON/安森美
SOT236/20+

NTGD4161PT1G
深圳市百达威尔科技有限公司
5000
原厂
22+/N/A

NTGD4161PT1G
深圳市炀城实业有限公司
5000
-
24+/-

NTGD4161PT1G
深圳市博芯创达科技有限公司
4908
PTIF
2021+/-

NTGD4161PT1G
深圳市赛思尔科技有限公司
21403
ON
23+/-

NTGD4161PT1G
深圳市科圳威电子有限公司
60701
-
24+/SOT236

NTGD4161PT1G
深圳市赛美科科技有限公司
24320
ON
2022+/SOT163

NTGD4161PT1G
深圳市东城信电子有限公司
31200
-
24+/SOT236

NTGD4161PT1G
深圳市昱德鸿电子有限公司
15000
ON
22+/SOT163

NTGD4161PT1G
深圳市科恒伟业电子有限公司
9800
ON/安森美
21+/SOT236

NTGD4161PT1G
深圳羚行科技有限公司
8800
ON
22+/SOT163

NTGD4161PT1G
深圳市福田区翔兴伟业电子商行
21000
ON
-/-

NTGD4161PT1G
深圳市博伟奇电子有限公司
12260
-
23+/SOT236

NTGD4161PT1G
深圳市硅宇电子有限公司
15922
Onsemi/安森美
2423+/

NTGD4161PT1G相关型号推荐

IC词条百科

NTGD4161PT1G产品

NTGD4161PT1G参数

标准包装3,000
类别分离式半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
FET 型2 个 P 沟道（双）
FET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 2.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs7.1nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds281pF @ 15V
功率 - 最大600mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SC-74，SOT-457
供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

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